碳化硅衬底相关论文
碳化硅单晶衬底作为宽禁带半导体材料处于半导体产业链的前端,是制造器件的核心关键材料,在光电器件、功率器件和射频器件等领域具......
本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。S......
本文使用国产SiC衬底,利用MOCVD技术外延GaN HEMT材料,采用注入隔离形式研制出高工作电压,高输出功率的AlGaN/GaN HEMT,选取典型数......
讨论了以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带微波功率器件的研发现状及其材料开发现状，在美国DARPA的WBSTI计划的推动下，使宽禁带基的微波......
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲......
对用热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC衬底上外延生长的SiCGe单晶薄膜进行了变温光致发光(PL)测试,测试温度从13K到300K。发现PL......
为研究p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结近红外光电二极管的特性,采用直流磁控溅射铁硅合金靶、硅靶和铝靶共镀以及后续的快速退火热......
为研究SiC衬底上β-FeSi2薄膜的生长机理,采用直流磁控溅射铁硅合金靶和硅靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底......
用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时......
报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250mW时,得......
为了开发SiC基非紫外光控器件，可用对可见光和近红外光有较强吸收的Si作为光吸收层构成Si/SiC异质结。本文针对制备方法，探索用金属......
SiC材料禁带较宽,对可见光和近红外光都没有吸收,因此一般只能用来制作紫外光探测器。为解决这一问题我们课题小组提出了利用Si/Si......
为了实现SiC材料在非紫外光控领域的应用,拓展SiC大功率电力电子器件的非紫外光触发。本课题提出了采用脉冲供源的方法在6H.SiC衬......
以国际金融公司(IFC)为首的投资机构日前在北京和晶能光电(晶能光电(江西)有限公司)进行增资的签约仪式,增资总额为5550万美元.......
用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时......
山东大学产学研校企合作．成立山大SIC（碳化硅晶体）产业化基地。SIC的主要产品是碳化硅衬底和蓝宝石衬底。广泛应用于光电子、电力输送......
近日,我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内领先,已达到国际先......
近日，我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道，该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协......
提起LED（发光二极管）,相信很多人并不会陌生。作为新一代照明光源,LED具有高效、使用寿命长、节能、环保等优点,成为国内外重点发展......
日本防务省资助富士通公司研究金刚石和碳化硅衬底散热技术，将显著提高GaNHEMT性能。...
近日,第三代半导体碳化硅单晶衬底企业河北同光晶体有限公司(同光晶体)完成A轮融资,投资方之一为国投创业。本轮融资助力同光晶体......
使用这种技术散热可以高效率地冷却高功率氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）,从而使功率放大器在高功率水平下稳定工作.近年来,高频......
科锐公司（Nasdaq：CREE）宣布升级一款先进的工艺设计套件’（PDK），该款PDK基于安捷伦公司的AdvancedDesignSystem（ADS）软件，能够为微波和无线......
利用X射线光电子能谱,对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂的GaN进行N、Ga组份测试,同时用光致发光技术对样品进行发光特......
用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN／AlN／GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构材料，其室温和80K时二维电......
美高森美公司（Microsemi Corporation）推出用于大功率航空交通管制、二次监视无线电应用的射频（RF）晶体管系列中的产品1011GN-700ELM。......
自2000年以来,以氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为主的Ⅲ族氮化物半导体异质结构及相关电子器件得到了快速发展。这些Ⅲ族......
学位
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
作为国家确定的低碳城市试点的五省八市之一,南昌近几年在低碳建设方面取得了较大的发展,"生态立市,绿色崛起"的低碳城市形象已为......
以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长。利用反射式高能电子衍射（RHEED）、扫描电子显微镜（SEM）、拉曼（Raman）等测......
衬底材料作为半导体照明产业的技术发展的基石，是半导体产业的核心，具有重要地位。本文对适合于LED芯片衬底材料的蓝宝石，硅，碳化硅，氮......
利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬......
本文研究了基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工方法。为了实现对碳化硅衬底的高效低损伤研磨加工，对碳化硅衬底的行星机构双面......
作为可以在室温下稳定独立存在的平面材料,石墨烯是碳原子以sp2杂化形成的六角蜂窝状晶格结构的二维材料,也是构成石墨、碳纳米管......
石墨烯材料具有良好的物理和电学性能,是国际上二维材料研究的热点之一,在国防和国民经济中具有广阔的应用前景。但是在实际应用中......
