氮化硅的反应离子刻蚀研究

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【摘要】

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采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响.通过优化气体

【出处】

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电子器件

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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反应离子刻蚀氮化硅刻蚀气体优化

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采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响.通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为119 nm/min,均匀性为0.6%,对光刻胶选择比为3.62的刻蚀氮化硅的优化工艺.

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