【摘 要】
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用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W /Ti/Au多层金属和n GaAs材料的欧姆接触 ,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料的表面进行处理 .用传输线法
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W /Ti/Au多层金属和n GaAs材料的欧姆接触 ,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料的表面进行处理 .用传输线法对比接触电阻进行了测试 ,并利用俄歇电子能谱 (AES)、X射线衍射图谱 (XRD)对接触的微观结构进行了分析 .结果表明 ,用 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料表面进行处理后 ,比接触电阻最小 ;在 70 0℃快速合金化后获得最低的比接触电阻 ,约为 4 5× 10 -6Ω·cm2 .这是由于 (NH4) 2 S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度 ,消除了费米能级钉扎效应 ,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性
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