论文部分内容阅读
为了用尽可能低的辐照电子能量在光纤芯处形成大的性质改变，模拟了0．1～1MeV能量的电子辐照二氧化硅。发现每一特定能量的电子辐照二氧化硅时，在其中有个能量沉积最快的位置。计算得到0．4474MeV能量的电子在单模光纤中心能量沉积最快，分析发现对于这个能量的电子多数可以穿透到光纤芯处，电子能量在光纤芯处的沉积主要是由于电子能量的减小造成的。这些结果可为用电子辐照光纤制作光器件时的初始电子能量选择提供参考。