【摘 要】
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SILICON carbide, a semiconductor with chemistry inertia, is well suited to fabricate optoelectronic device working at high temperature, high power, high freque
【出 处】
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Chinese Science Bulletin
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SILICON carbide, a semiconductor with chemistry inertia, is well suited to fabricate optoelectronic device working at high temperature, high power, high frequency, and in high radiation environments. Among the hundreds of SiC polytypes, 4H-SiC, with a wider bandgap, a higher and much less anisotropic electron mobility than 6H-SiC, has aroused much attention .
SILICON carbide, a semiconductor with chemistry inertia, is well suited to fabricate optoelectronic device working at high temperature, high power, high frequency, and in high radiation environments. Among the hundreds of SiC polytypes, 4H-SiC, with a wider bandgap, a higher and much less anisotropic electron mobility than 6H-SiC, has aroused much attention.
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