【摘 要】
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将自制层状石墨相氮化碳(g-C3N4)和WO3纳米片均匀混合,经煅烧制备WO3/g-C3N4复合半导体.利用XRD、SEM、TEM、UV-Vis DRS和PL对其进行表征.结果表明,g-C3N4呈现类石墨烯状片层结构,WO3为纳米片状结构,且分散在g-C3N4表面;与WO3复合后,UV-Vis吸收边发生了红移,拓宽了g-C3N4对可见光的响应.以罗丹明B(RhB)为模拟污染物,考察WO3/g-C3N4的光催化降解性能.WO3/g-C3N4质量比为1:5时,表现出最佳的光催化活性,可见光照60 min后,R
【机 构】
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合肥学院 生物食品与环境学院,合肥 230601;合肥学院 能源材料与化工学院,合肥 230601
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将自制层状石墨相氮化碳(g-C3N4)和WO3纳米片均匀混合,经煅烧制备WO3/g-C3N4复合半导体.利用XRD、SEM、TEM、UV-Vis DRS和PL对其进行表征.结果表明,g-C3N4呈现类石墨烯状片层结构,WO3为纳米片状结构,且分散在g-C3N4表面;与WO3复合后,UV-Vis吸收边发生了红移,拓宽了g-C3N4对可见光的响应.以罗丹明B(RhB)为模拟污染物,考察WO3/g-C3N4的光催化降解性能.WO3/g-C3N4质量比为1:5时,表现出最佳的光催化活性,可见光照60 min后,RhB降解率可达到94.9％.光催化剂具有良好的稳定性,重复使用6次后,RhB的降解率依然达到88.9％.光催化机制研究表明,超氧自由基(·O2?)是光催化降解RhB的主要活性物种.
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