【摘 要】
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利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源引出强流Ti离子注入单晶硅,当MEVVA源引出电压为40kV,束流密度达到100μA/cm2,Ti离子剂量为5×1017/cm2,Ti离子注入单晶硅可得到C54-TiSi2的注入层,且薄层电阻低于3.0Ω/□.本文用束流热效应讨论了形成硅
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利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源引出强流Ti离子注入单晶硅,当MEVVA源引出电压为40kV,束流密度达到100μA/cm2,Ti离子剂量为5×1017/cm2,Ti离子注入单晶硅可得到C54-TiSi2的注入层,且薄层电阻低于3.0Ω/□.本文用束流热效应讨论了形成硅化物的机理.
When the MEVVA source voltage is 40kV, the beam current density is 100μA / cm2, the Ti ion dose is 5 × 1017 / cm2, the Ti ion implantation single-crystal silicon Crystalline silicon can be C54-TiSi2 injection layer, and the sheet resistance is less than 3.0Ω / □. In this paper, the mechanism of silicide formation is discussed with the beam effect.
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