薄层电阻相关论文
本文分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiNx薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比......
针对半导体薄层电阻温度特性的研究,我们自行设计了一套自动化测试系统.本文阐述该系统基本测试原理,硬件结构、软件流程.这套系统......
本文描述了SiGe HBT发射区刻蚀实验研究.详细介绍控制发射区刻蚀的厚度薄层电阻法原理、方法及测试结果.文中还就实验结果进行了分......
中国石油集团测井有限公司华北事业部共有60支测井作业队伍,具备集团公司资质,服务于华北、长庆、冀东、海南、吉林、山西煤层气、......
在Ｍｇ注入形成的ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触，用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０－５Ω·ｃｍ２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。......
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特......
本文叙述一种新型的基于ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡＳ双势垒ＲＴＤ单片高速逻辑集成电路的设计和制造技术。由该技术产主的Ｓｃｈｏｔ－ｔｋｙ／ＲＴＤ集成双稳开关已工作到３ＧＨＺ的振荡频率。
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本文介绍了LG－11型强流离子注入机全机械扫描剂量控制器的工作原理，硬件结构和软件框图。
This paper introduces the working prin......
测出了电子回旋共振和反应离子腐蚀条件下暴露在氩等离子体下的InN,In_(0.5)Ga_(0.5)N 和 In_(0.5)Al_(0.5)N 层的导电率随射频功......
针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论
Aiming at the open-tube acceptor dou......
采用喷涂热解法制备了以Cd2SnO4为代表的四种半导体薄膜，即Cd2SDO4，In2SnO5，TiSnO4及Zn2SnO4。测试了薄膜的半导体、光学和电学性能，得......
分析了硅紫外光伏探测器件的响应度与器件使用模式之间的关系．研究了包括网格结构在内的３种版图设计及所对应的响应度．结果表明，网格结......
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能......
采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．
The ......
介绍经典法直排四探针测量电阻率或薄层电阻时，圆片边界修正系数的计算公式、计算程序和修正系数表。
This paper introduces the ......
利用改进的范德堡法微区薄层电阻测试探针技术对n-Si片上的硼扩散图形进行薄层电阻的测量，并用发度表示其分布，可得到薄层电阻的不均......
本文研究了以低压化学气相淀积方法生长ＰＳＧ表面钝化膜中磷的含量对横向ＰＮＰ管放大倍数的影响。给出了工艺的实验数据，得到一个为适用于集成......
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实......
利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法，将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全片的灰度图，这种Ｍａｐｐｉｎｇ技术十分有利于评价材料的质量。在......
报道了ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备及其可靠性，以及基于欧姆接触退化的ＧａＡｓＭＥＳ－ＦＥＴ的失效分析。结果表明，ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备已日趋成熟，接触电阻有所减小......
测量了硼化钛涂层(基体为普通底碳块)的导电性、耐蚀性以及与熔融铝的润湿性.结果表明,涂层的导电性优于普通底碳块;涂层碳块比未......
根据有限厚度样品体电阻率和薄层电阻两种测试方法间的厚度修正系数的相关性，论证了其边缘效应修正系数具有一一对应的严格的相等性......
报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果......
STMicroelectronics公司的S.Joblet和法国国家科学研究中心研究所的同行们在Si(001)衬底上生长出GaNHEMT。他们声称,这种Si(001)衬......
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻(Rs)和硅源/漏(S/D)区域的接触电阻。对于90nm以下的器件,S/D区域还要求是重掺杂的超......
本文报道了采用石墨舟蒸发In_2O_3和SnO_2混合物(W_t=10％),获得了电阻率为3×10~(-4)Ω·cm、在可见光范围内透过率大干95％的ITO薄膜......
有关结果表明,在氨分子束外延STE3N2系统中,以极高的温度(1 100-1 150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET(双异质结构场效应晶体......
使用二次离子质谱(SIMS)和电学特性参数测量深入研究了在40 nm低功耗工艺中,激光脉冲退火(LSA)对超浅结(USJ)以及其对pMOS器件有源......
作者从半导体硅桥（ＳＣＢ）点火的机理出发，得到了实现ＳＣＢ点火的基本关系式并计算了ＳＣＢ在熔化、气化过程中与温度无关的比热．作者还对实现ＳＣＢ点火有关参......
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0引言随着电子器件的发展，IC集成度越来越高，按等比例缩小的原则，线条越来越细，电子器件互连金属薄膜的线条所承受的电流密度就越来越......
在Ｓｉ（１００）衬底上用离子束溅射方法淀积Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉ薄膜，形成Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ，Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ等结构，通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２。用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ沟道谱，ＳＥＭ及四探针等方法对（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜的物理特......
·活塞环·期 页球铁环金相组织的控制及热处理工艺的改进…………………。…………………………………………··13单体双片椭圆......
MOS动态存贮器从1971年的1k位DRAM问世以来,一方面连续保持3年增长4倍的规律,另一方面经常不断促进着当时最高水平的批量生产技术......
本文利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法，将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全片的灰度图，这种微区薄层电阻测试Mapping技术......
本文着重介绍了硅蓝光电池基本原理及其设计考虑.具体分析了影响硅蓝光电池短波长响应的主要因素,同时提出了改善短波长响应的可行......
一种制备金属硅化物的离子束新技术柳百新，朱德华，卢红波（清华大学材料科学与工程系，北京１０００８４）随着目前超大规模集成电路的迅速发展，要求器件......
用砷(100keV,10~(15)/cm~2)注入到硅中后用扫描电子束退火,得到的主要结果为:(1)经电子束退火后样品的电激活率与把样品控制在连续......
多沟道面结型-栅极场效应晶体管及其优点,在1964年以隐栅场效应晶体管这个题目已被介绍过了。它包括垂直的和水平的沟道结构。它的......
用一个与 AsCl_3、Ga、H_2方法相似的新的卤化物输运法生长了高阻掺铬外延缓冲层。在改善表面性能和控制由铬引起的生长缺陷方面显......
