【摘 要】
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本文报道用EHT方法计算Si/GaP(111)、(111)和(110)界面的电子结构,得到它们的价带不连续值△E_v分别为:0.88eV、0.97eV和0.87eV,这和Si/GaP的实验结果:△E_v=0.80eV和0.95eV
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本文报道用EHT方法计算Si/GaP(111)、(111)和(110)界面的电子结构,得到它们的价带不连续值△E_v分别为:0.88eV、0.97eV和0.87eV,这和Si/GaP的实验结果:△E_v=0.80eV和0.95eV相符合.不同晶向△E_v相差达0.1eV.分析Si和GaP价带顶位置的变化情况,发现对Si/GaP(111),界面态对价带顶的影响不大.但对于Si/GaP(111)异质结,由于界面态的影响,使Si价带顶明显上移.此时,界面态对△E_v的非线性影响不可忽略。
In this paper, the electronic structure of Si / GaP (111), (111) and (110) interfaces has been calculated by the EHT method. Their valence band discontinuities ΔE_v are 0.88eV, 0.97eV and 0.87eV, / GaP: △ E_v = 0.80eV and 0.95eV, and the difference of △ E_v between different crystal directions is 0.1eV.Analysis of the change of valence band top position of Si and GaP shows that for Si / GaP (111), interface state However, for the Si / GaP (111) heterojunction, the top of the Si valence band shifts up obviously due to the influence of the interface state, and the nonlinear effect of the interface state on ΔE_v can not be neglected.
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