【摘 要】
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大规模集成电路(LSI)非常迫切地需要高的封装密度,而多层布线在满足这些需要上则是必不可少的。为了实现高封装密度的多层布线,已经开发了用聚合物进行平面金属化(PMP)的技
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大规模集成电路(LSI)非常迫切地需要高的封装密度,而多层布线在满足这些需要上则是必不可少的。为了实现高封装密度的多层布线,已经开发了用聚合物进行平面金属化(PMP)的技术。在这一技术中,聚合物作为绝缘层代替了通常使用化学蒸汽喷涂二氧化硅的方法(1)。为此,合成了一类新型的聚酰亚胶树脂,即聚酰亚胺异吲哚喹唑啉二酮(PIQ)。
Large scale integrated circuits (LSIs) are in great need of high packing densities, and multilayer wiring is essential to meet these needs. In order to realize high-packing density multi-layer wiring, a technique of planarizing metal (PMP) with a polymer has been developed. In this technique, the polymer replaces the method (1) of spraying silicon dioxide, usually using chemical vapor, as an insulating layer. To this end, a new type of polyimide resin has been synthesized, namely polyimide isoindoloquinazolinedione (PIQ).
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