1.23GeV Fe离子在C60薄膜中形成潜径迹的Raman谱分析

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cenkk

【摘要】

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用能量为1.23 GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜.用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应,主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相(H

【作者】

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金运范姚存峰王志光谢二庆宋银孙友梅张

【机构】

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中国科学院近代物理研究所,兰州大学物理科学与技术学院

【出处】

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核技术

【发表日期】

：

2005年9期

【关键词】

：

潜径迹强电子激发效应 C60薄膜快Fe离子 RAMAN谱 Latent track Strong electronic excitation effect

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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用能量为1.23 GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜.用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应,主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相(HTHP)的形成,和在高电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向非晶碳的转变.由此演绎出了快Fe离子在C60薄膜中的损伤截面或潜径迹截面σ和潜径迹的半径Re,及其随沉积在电子系统中的能量密度的变化而变化的规律.

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