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通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律.实验结果表明,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数3个指示参数相结合,可以明确指示和区分电迁移过程中材料的空位扩散、空洞成核和空洞长大3个微观结构变化的阶段.上述3个参量作为一个集合才能够全面表征金属薄膜电迁移退化的过程,在此基础上可望发展新的超大规模集成电路(VLSI)电迁移可靠性评估技术.