金属互连线相关论文
随着集成电路半导体制造工艺水平的快速发展,器件的特征尺寸不断缩小,芯片的集成度不断提升。器件特征尺寸越逼近14纳米工艺节点,......
本文采用拟合的方法,并利用DESTIN测试系统,研究了集成电路金属布线电阻与温度的关系,探讨不同材料、不同尺寸、不同结构金属布线......
该文测定了由十二种不同成膜工艺所制备的金属薄膜（Ａｌ膜及Ａｌ－１℅Ｓｉ膜）在不同温度（Ｔ）下的薄层电阻（Ｒｓ）值（Ｔ的范围：２９３Ｋ→１５Ｋ）及其电迁移中位寿命ＭＴＴＦ，并对成膜工艺进行......
该文测定了由十二种不同成膜工艺所制备的金属薄膜（Ａｌ膜及Ａｌ－ｌ℅Ｓｉ膜）在不同温度（Ｔ）下的薄层电阻（Ｒｓ）值（Ｔ的范围：２９３Ｋ→１５Ｋ）及其电迁移中位寿命ＭＴＴＦ。数据分析表明：各......
现今,集成电路中普遍存在深亚微米/纳米量级且多层分布的金属互连线(interconnects),由其产生的电磁寄生效应已成为影响电路性能,......
随着微电子技术的发展,集成电路特征尺寸越来越小,已经达到了微米级甚至纳米级。承担信号传输的金属互连线的横截面积随之减小,导......
主要从光刻隔离，金属互连线三个方面讨论了亚微米器件所面临的挑战及其发展趋势。...
随着半导体制造技术的发展，尤其是随着晶体管线宽尺寸从0．13um到90nm，再到60nm以下，电阻电容延迟对整个器件功能的影响越来越大。为了......
<正>随着CMOS晶体管尺寸不断缩小到次微米级,正如摩尔定律的预测,在高效率、高密度集成电路中的晶体管数量上升到几千万个。这些数......
通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变......
半导体集成电路经过几十年的发展,特征尺寸不断减小,器件的集成度越来越高,促进了制造工艺不断发展。铜化学机械抛光（Cu-CMP）工艺在......
采用一种新颖的方法——多晶硅加热法评价了金属连线的电迁移（EM）寿命．用该方法得到的结果与传统封装测试法得到的结果进行了对比，两者......
随着集成电路集成度的提高,器件的特征尺寸不断减小,电磁脉冲对集成电路的损伤效应越发明显。电磁脉冲可以通过金属互连线或者孔缝......
金属互连线尺寸越来越小,布线越来越密集,导致互连线的可靠性问题越来越突出,已经影响到整个器件开发的成功与否、产品在实际应用......
随着VLSI技术的发展,电迁移已成为集成电路主要的失效原因之一,由其引起的可靠性问题也被逐渐关注。为此本文提出了一种能与任何器......
