【摘 要】
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Cu3SbSe4是一种具有黄铜矿结构的三元p-型半导体材料,在热电领域颇受重视.本次工作采用在Cu3SbSe4中先掺杂Sn与S,然后再掺杂Ga2Te3这一多组元掺杂方式,通过能带及晶体结构计
【机 构】
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中国矿业大学材料科学与工程学院,宁波工程学院材料科学与化学工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:51671109)资助的课题.
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Cu3SbSe4是一种具有黄铜矿结构的三元p-型半导体材料,在热电领域颇受重视.本次工作采用在Cu3SbSe4中先掺杂Sn与S,然后再掺杂Ga2Te3这一多组元掺杂方式,通过能带及晶体结构计算,了解多组元掺杂后热电性能提升的结构因素.能带计算表明,共掺杂Sn与S后,禁带区域萌生出杂质带,导致材料的载流子浓度(nH)和电学性能大幅提高.在691 K时,功率
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