隧穿磁阻效应相关论文
在自旋电子学领域中,由于磁性隧道结有潜力成为下一代磁性随机存储器（MRAM）的基本元件,因此是近些年的研究热点。传统磁性隧道结的势......
基于传统光学衍射理论构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型.该理论模型将单晶势垒层视作周期性的衍射光栅,所以可以计入单......
基于Bethe理论和双束近似方法,构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型。该理论模型将单晶势垒层视作周期性光栅,因而可以充......
近年来介观系统中的电子输运引起了大量理论和实验上的研究兴趣，这一方面是由于其丰富的物理现象，另一方面是由于它具有广泛的应用前......
钙钛矿锰氧化物是一种典型的强关联电子体系，多种量子序之间强的关联相互作用使其呈现出许多新奇的物理特性，如电子相分离，庞磁电阻效......
基于Slonczewski理论模型和矩阵方法研究了由栅控制中间层电势高度的磁性隧道结的隧穿磁阻效应。数值计算了中间层势垒为0~3 V以及......
自旋电子学是一门通过调控电子自旋来设计电子器件的学科。磁性隧道结(MTJ)作为具有巨大应用潜力的自旋电子器件,是自旋电子学的重......
石墨烯作为二维碳纳米材料,由于独特的电子结构表现出许多新奇的物理性质,使其成为纳米自旋电子器件极其重要材料。如何在石墨烯中......
