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现代微电子装置使用了高纯难熔金属硅化作为接点，栅极，布线，阻挡层和集成电路的喷涂金属粉。这些材料良好的化学稳定性和热稳定性为厚度不到１μｍ的集成电路的设计铺平了道路。这些应用的重要的先决条件是制取碱金属，碱土笔过渡族元素的含量低于０．０５ｍｇ／ｋｇ（ｐｐｍ）的高纯难熔金属及其硅化物。铀和钍的残余浓度甚至降到０．０００５ｍｇ／ｋｇ（ｐｐｂ）以下。