关于Cu、Ag、Au在Si和Ge表面的吸附

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本文利用集团模型和电荷自治的休克尔方法研究Cu,Ag,Au在Si(111)和Ge(111)面上可能的吸附位置和电子态,得到这些重金属原子只能吸附在三度开位上,并进入表面以下的结果,与实验观察(LEED,UPS,ISS)的结果一致.文章还计算了吸附体系的电子结构,所得到的态密度与已知的实验数据符合较好. In this paper, the possible adsorption sites and electronic states of Cu, Ag and Au on the Si (111) and Ge (111) planes are studied by using the group model and the charge-autonomous Hoechst method. These heavy metal atoms can only be adsorbed on the third- (LEED, UPS, ISS). The electronic structure of the adsorption system was also calculated. The obtained density of states is in good agreement with the known experimental data.
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