【摘 要】
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为获得高比表面积的银纳米材料,采用自模板法合成中空多孔的银纳米片,边长为1μm,壁厚小于100 nm.在AgNO3和PVP的混合溶液中掺入Na2 SiO3溶液,形成多孔的四硅酸银纳米片.以四硅酸银纳米片为软模板,加入硼氢化钠还原剂,在低温(0℃)下制备了内部空心、表面多孔的银纳米片.对产物进行了详细的结构和形貌的表征分析.结果表明,银纳米片不但具有片状结构,而且具有内部空心表面多孔的夹层结构,可能在化学传递、生物医药、封装材料,特别是导电材料等领域中有着重大的应用.
【机 构】
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武汉理工大学 材料复合新技术国家重点实验室,湖北 武汉 430070
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为获得高比表面积的银纳米材料,采用自模板法合成中空多孔的银纳米片,边长为1μm,壁厚小于100 nm.在AgNO3和PVP的混合溶液中掺入Na2 SiO3溶液,形成多孔的四硅酸银纳米片.以四硅酸银纳米片为软模板,加入硼氢化钠还原剂,在低温(0℃)下制备了内部空心、表面多孔的银纳米片.对产物进行了详细的结构和形貌的表征分析.结果表明,银纳米片不但具有片状结构,而且具有内部空心表面多孔的夹层结构,可能在化学传递、生物医药、封装材料,特别是导电材料等领域中有着重大的应用.
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