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为了获得硅单晶中空位团的形成能以及有关因素的影响规律，采用分子动力学方法进行了模拟计算和分析，揭示了模型体系大小、空位团构型和空位数目对空位团形成能的影响规律和机理。结果表明：总体上，模型体系大小和空位团构型对空位团形成能的影响不大；3×3×3模型更适合于硅单晶空位形成能的计算和分析；当空位数目≤5时，最小空位团形成能随空位数目增大而线性增加；空位团形成能实质上主要取决于所需破坏的Si-si键数目及键能。