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1研究意义砷化镓（GaAs）是最为重要的化合物半导体材料之一。砷化镓表面所形成的异质量子点具有光电转换效率高、量子限制效应强、量子干涉效应明显等特征,在新能源、光电探测、高性能激光器和量子计算等领域展示出强劲的应用前景（见图1）。例如,砷化镓衬底量子点太阳能电池的转换效率理论上可达50%以上,远高于硅太阳能电池的理论转换效率（30%）。