重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fragishsss

【摘要】

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研究了重掺硼(HB)、重掺砷(HAs)以及重掺锑(HSb)直拉(CZ)硅片对重金属Cr的内吸杂能力，将不同程度(～10^12cm^-2，～10^14cm^-2)沾污Cr的硅片在N2下进行常规的高-低-高三步退火，并由全

【作者】

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余学功杨德仁马向阳杨建松阙端麟

【机构】

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浙江大学硅材料国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2003年6期

【关键词】

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重掺直拉硅氧沉淀内吸杂 heavily-doped Czochralski siliconoxygen precipitationinner getteri

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 32 0 10 )~

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研究了重掺硼(HB)、重掺砷(HAs)以及重掺锑(HSb)直拉(CZ)硅片对重金属Cr的内吸杂能力，将不同程度(～10^12cm^-2，～10^14cm^-2)沾污Cr的硅片在N2下进行常规的高-低-高三步退火，并由全反射X射线荧光光谱(TRXF)测量退火前后样品表面Cr的含量。结果表明在三种重掺硅中，HB硅片的内吸杂能力最强，HAs硅片次之，HSb硅片最低。

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