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根据涂覆扩散型ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的晶界结构特点，势扩散分布与压敏电压的关系，提出了两晶粒之间的ｎ－ｎ‘－ｉ－ｎ’－ｎ的物理模型以及晶界叠加势垒模型。以此模型推导晶势垒高度与扩散层深度的公式，对实验数据，晶界势垒高度及其在晶界的分布进行了模拟，其结果明确地说明了摭用层浓度增加，晶界势垒高度提高从而ＶｌｍＡ提高、并证明了叠加势垒模型比Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒模型更加合理。