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采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFETs）的亚阈值特性，即正则摄动法，由于在纳米MOSFETs中，常用的耗尽近似和页面电荷模型（charge-sheet model）不再适用，导致泊松方程由线性变成非线性形式．利用正则摄动法求解非线性泊松方程可以得到纳米MOSFETs亚阈值电流和亚阈值摆幅指数依赖外加偏压的解析表达式．通过与二维器件模拟软件MEDICI模拟结果比较，证明了该方法及结果的有效性．