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SOI CMOS技术存在许多优势，但由于存在厚的埋氧层，其总剂量效应反而比体Si器件更差，因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析，指出了各自的优劣势，给出了研究方向。并对FLEXFET和G^4-FET三维SOI器件抗辐射加固新结构进行了阐述，分析了其优越性。