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SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构
SOI CMOS技术存在许多优势，但由于存在厚的埋氧层，其总剂量效应反而比体Si器件更差，因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSF......
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