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本文介绍了在稀土离子Re（Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd）注入的SiO2金属-氧化物-硅（MOS）结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜，相继获得了发射光谱峰值分别位于红外（1．54μm）、可见光（618nm、543nm、440nm）至紫外（316nm）光谱范围的MOS结构电致发光器件，并系统研究了SiO2：Re薄膜中稀土离子的电致发光特性。在SiO2：Re有效发光层的厚度为50nm，掺杂浓度为1-3％的条件下，稀土Er、Tb和Gd离子注入掺杂的硅材料MOS结构电