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光刻掩模的静电放电损伤及其防护
光刻掩模的静电放电损伤及其防护
来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangfegnlin
【摘 要】
:
半导体集成电路制造中,光刻工艺是整个制造过程中的核心技术.而光刻掩模(Reticle,Photomask)则为光刻技术中的最为关键的部件.随着半导体生产技术的不断提升,光刻掩模对静电
【作 者】
:
管伟
Larry Levit
【机 构】
:
IonSystemsInc.亚太区,IONsystemsInc.Chief
【出 处】
:
中国集成电路
【发表日期】
:
2005年10期
【关键词】
:
静电放电敏感度
光刻掩模
防护
半导体生产技术
电损伤
集成电路制造
光刻技术
制造过程
光刻工艺
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半导体集成电路制造中,光刻工艺是整个制造过程中的核心技术.而光刻掩模(Reticle,Photomask)则为光刻技术中的最为关键的部件.随着半导体生产技术的不断提升,光刻掩模对静电放电敏感度也越来越高,如何防护光刻掩模避免遭受静电放电的损坏,已成为目前半导体集成电路制造中的一项挑战.
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