【摘 要】
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背景:在电化学基因芯片中,氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜载体材料的化学修饰、DNA杂交反应等需要在不同的介质溶液中进行,而各种介质溶液腐蚀会对其性能产生较大的影响,甚至出现性能
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(50902063);云南省应用基础研究项目(2007E191M);云南省教育厅科学研究基金项目(08J0011)~~
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背景:在电化学基因芯片中,氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜载体材料的化学修饰、DNA杂交反应等需要在不同的介质溶液中进行,而各种介质溶液腐蚀会对其性能产生较大的影响,甚至出现性能劣化或失效现象。目的:观察氟掺杂氧化锡薄膜载体材料在NaOH、NaCl、Na2SO4介质溶液中的电学稳定性。方法:利用相对电阻变化(ΔR/R)方法观察了氟掺杂氧化锡薄膜在温度分别为25℃和50℃、浓度为1mol/L的NaOH、NaCl、Na2SO4介质溶液中的电学稳定性。结果与结论:在3种介质溶液中,氟掺杂氧化锡薄膜在25℃的NaCl和Na2SO4溶液中ΔR/R值变化极小,而在25℃的NaOH溶液中ΔR/R值变化要远大于前两者;氟掺杂氧化锡薄膜在50℃的NaOH、NaCl、Na2SO43种介质溶液中ΔR/R变化值显示出了相同的变化规律,随着浸泡时间的延长,ΔR/R值发生了明显的迅速增大,薄膜导电性能快速下降;氟掺杂氧化锡薄膜在3种介质溶液中的电学稳定性从好到差依次为:NaCl>Na2SO4>NaOH。
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