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介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法，通过大量的实验及不断的工艺优化，制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片，并已投入批量生产。
用溅射法制备混合集成电路中的Ci·SiO薄膜电阻器
【摘 要】
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介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法，通过大量的实验及不断的工艺优化，制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片，并已投入批量生产。
【机 构】
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西安微电子技术研究所
【出 处】
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电子元器件应用
【发表日期】
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2002年8期
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