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用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si/SiO2纳米薄膜,测定了薄膜的I-V特性. 实验结果分析表明,薄膜结构是影响其I-V特性的主要因素.
薄膜结构对Si/SiO2 Ⅰ-Ⅴ特性的影响
【摘 要】
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用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si/SiO2纳米薄膜,测定了薄膜的I-V特性. 实验结果分析表明,薄膜结构是影响其I-V特性的主要因素.
【机 构】
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甘肃农业大学,西北师范大学
【出 处】
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物理实验
【发表日期】
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2004年期
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