【摘 要】
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利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和N i)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体进行系统计算.结果发现:V-、Cr-和N i-掺杂的CdGeP2
【机 构】
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宁德职业技术学院 福建福安355000
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利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和N i)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体进行系统计算.结果发现:V-、Cr-和N i-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),而Mn-、Fe-以及Co-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM).
First-principles for spin-domain density functional analysis of II-IV-V2 (CdGeP2 and ZnGeP2) chalcogenide semiconductors doped with 3d transition metals (TM = V, Cr, Mn, Fe, Co and Ni) The results show that ferromagnetic state (FM) will appear in V-, Cr- and N i -doped CdGeP2 and ZnGeP2, and that in Mn-, Fe- and Co-doped CdGeP2 and ZnGeP2 Magnetic State (AFM).
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