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随着摩尔定律的发展，90/65nm工艺下的大规模越来越多，后端物理设计变得更加复杂，遇到了很多新问题，如高集成度、层次化设计、泄漏功耗、多角落-多模式、串扰噪声等，签收的标准也发生了变化。因此必须改进物理设计方法学，适应新的情况，来取得流片成功。
深亚微米下芯片后端物理设计方法学研究
【摘 要】
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随着摩尔定律的发展，90/65nm工艺下的大规模越来越多，后端物理设计变得更加复杂，遇到了很多新问题，如高集成度、层次化设计、泄漏功耗、多角落-多模式、串扰噪声等，签收的标准
【机 构】
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芯原微电子(上海)有限公司
【出 处】
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第十三届北京科技交流学术月节能与低功耗集成电路技术国际研讨会
【发表日期】
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2010年10期
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