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本文研究了背面引线离子敏感场效应器件的特殊工艺技术。重点阐述了双面光刻各向异性腐蚀,深坑加工,腐蚀自停止等技术,实现了源漏电极从芯片背面引出,给出了扫描电镜分析照片。提出了一个合理,实用的腐蚀配方及条件:在77℃恒温腐蚀溶液中,腐蚀约5小时30分钟,腐蚀速度为55μm/h-60μm/h。