【摘 要】
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在温度为1.8-77K,磁场高达5T的条件下,研究了磁场（H）对ZnS:Mn薄膜电致发光（EL）的影响,ZnS:Mn薄膜是用电子束蒸发（EBE）和原子层外延技术制备的。在接近EL阈值电压条件下,随着电场H的
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在温度为1.8-77K,磁场高达5T的条件下,研究了磁场（H）对ZnS:Mn薄膜电致发光（EL）的影响,ZnS:Mn薄膜是用电子束蒸发（EBE）和原子层外延技术制备的。在接近EL阈值电压条件下,随着电场H的增强,亮度B增加;而在高激发条件下,亮度降低.通过样品的电荷量有稍许改变而EL光谱和衰减率保持不变。在磁场垂直于和平行于电场方向的条件下,分别测量了B<sub>H</sub>/B<sub>O</sub>对温度和磁场的依赖关系,在EBE薄膜中观察到磁场作用的
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