基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ivanc1

【摘要】

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提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计及不可动的电离杂质,而且需要考虑自由载流

【作者】

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金林高珊陈军宁褚蕾蕾

【机构】

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安徽大学电子科学与技术学院

【出处】

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微电子学与计算机

【发表日期】

：

2010年4期

【关键词】

：

正则摄动二维表面势亚阈值短沟道SOI MOSFETS regular perturbation two-dimension surface pote

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提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计及不可动的电离杂质,而且需要考虑自由载流子的数量和分布的影响.利用摄动法求解非线性泊松方程可以得到短沟道SOI MOSFETs二维的表面势解析模型.通过与二维数值模拟器MEDICI模拟结果比较,证明了在亚阈区改进模型所得的结果比只计及不可动的电离杂质的SOI MOSFETs模型所得的结果吻合更好.

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