MOSFETS相关论文
研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧......
本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作......
本文研究了界面陷阱对MOS器件栅电容C-V特性的影响。分别计算了几种不同的缺陷类型和不同分布形式界面陷阱作用下的栅电容 C-V 特......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷（charge-sheet）模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验，相对于以基本的MOSFET器件物理......
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统一的1/f噪声模型,例如BSIM3模型,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用,在多数情况下有很好的效果.然而文献[1]中基于物理机理......
深入分析了YAG脉冲激光电源的工作原理，根据氙灯特殊的电气特性，设计了硬件电路和软件程序。采用MOSFETS场效应管半桥逆变器，以SG3525......
提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计......
随着器件工艺的更新。亚阈值电流对MOSFET的亚阔值特性的影响越来越大，但是目前的计算均是基于一维或者准二雏电势模型，计算量小但是......
采用10keVX射线研究了部分耗尽S01MOSFETs的总剂量辐射效应．实验结果显示，在整个辐射剂量范围内，前栅特性保持良好；而nMOSFET和pMOSFET......
提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah......
提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阚值电压二维解析模型．通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数，氧化层-硅界面处的......
提出了一个全耗尽SOlMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型．基于近似的抛物线电势分布模型，利用适当的边界条件对二维的泊松方程......
利用二维模拟软件对部分耗尽SOI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.......
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硅IGBT是目前电力电子电路中主要运用的开关器件之一,但IGBT的双极特性在限制器件的开关速度的同时也增加关断损耗。与之相比,使用......
碳化硅（SiC）优良的材料特性,使其十分适用于制作大功率高速的开关器件,例如金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）。目前国内诸多研......
4H-SiC是性能优异的宽禁带半导体材料之一,其在高温、高频、高功率和抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。但是在器件制备过程中,......
随着集成电路的发展，器件尺寸越来越小，集成电路集成度越来越高，但与此同时，半导体也面临着由材料和器件本身所带来的一些小尺寸问题。......
