一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40 GHz 4位单片数字衰减器

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mongtianxu

【摘要】

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介绍了一种超宽带DC-40GHz的4位单片数字衰减器.该衰减器采用0.25 μm砷化镓pHEMT工艺制造.据我所知,这种衰减器是至今国内文献报道中带宽最宽的.它通过采用适当的结构来得到

【作者】

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文星郁发新孙玲玲

【机构】

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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018浙江大学航空航天学院航天电子工程研究所,杭州,310029;

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2010年2期

【关键词】

：

超宽带 GaAs pHEMT 数字衰减器

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介绍了一种超宽带DC-40GHz的4位单片数字衰减器.该衰减器采用0.25 μm砷化镓pHEMT工艺制造.据我所知,这种衰减器是至今国内文献报道中带宽最宽的.它通过采用适当的结构来得到超宽的带宽、低插入损耗以及高衰减精度.该衰减器具有1 dB的衰减步进和15 dB的衰减动态范围,插入损耗在40 GHz时小于5 dB,全衰减态及全频带内的输入输出回波损耗大于12 dB.

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