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采用无机sol-gel法，以分析纯V2O5为原料，在Si衬底、玻璃衬底上空气中加热制备了V2O5薄膜，在不同温度下真空退火，得到了具有择优取向的VO2薄膜。研究了其制备工艺和显微结构。结果表明：在玻璃衬底和硅衬底上薄膜的最佳真空退火工艺均为480℃/2h。所制备的VO2薄膜具有沿〈110〉晶向生长的择优取向。薄膜表面形貌良好，颗粒尺寸分布均匀。