【摘 要】
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基于70V高压双极型工艺,设计了一种适用于单片高压功率运算放大器的输入级电路。该电路采用p沟道结型场效应晶体管(JFET)组成的差分对套筒式共源共栅(differential telescopi
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州振华风光半导体有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金(61464002,61664004),贵州省重大科技专项(黔科合重大专项字[2015]6006),贵州省科技计划项目(黔科合平台人才[2017]5788号).
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基于70V高压双极型工艺,设计了一种适用于单片高压功率运算放大器的输入级电路。该电路采用p沟道结型场效应晶体管(JFET)组成的差分对套筒式共源共栅(differential telescopic cascode)结构,具有低偏置电流、低失调电压、低失调电流、高共模抑制比的特点。以共集-共射(CC-CE)的放大电路结构作为该输入级电路的负载,减小对输入级影响的同时能够提高电压增益。Spectre仿真结果表明,输入偏置电流仅为20pA,失调电压为0.11mV,失调电流为0.57fA,连接负载后的增益可以达到
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