JFET相关论文
栅驱动电路（Gate Driver）主要用于对功率半导体器件的开关控制,目前应用的主流对象是Si材料器件,但随着GaN、SiC等第三代半导体材料......
近年来,白光LED在照明领域的发展十分迅速。LED相对传统的白炽灯照明有很多方面的优势,包括低能耗、长寿命、更小的尺寸等。由于LE......
本文的目标是找出具有更低功耗的新型器件结构,以满足以手提电脑中CPU电源电路对功率管的功率损耗提出的日益苛刻的要求。随着CPU......
对于JFET器件而言，沟道和顶栅是JFET器件的核心，其结构和掺杂分布将决定器件的击穿电压、夹断电压、漏极饱和电流、跨导和R等关键参......
在“模拟电子技术”理实一体化的项目驱动式教学中,本文设计了一个基于结型场效应管等效可变电阻控制衰减的AGC放大器,并验证了其......
使用构建方法,阐述文氏桥振荡器稳幅环节的设计思路,将其分解为场效应管压控可变电阻、二极管单向导电、RC电路、电阻分压四个基本......
<正> 场效应管的外形类似普通三极管,同有三只引脚:但又不同于普通三极管,晶体三极管是一种电流控制型器件。场效应管和电子管一样......
摘要：本文在介绍JFET的基本工作原理的基础上，详细介绍了JFET器件的关键参数，以及它们之间的相互关系，对JFET器件结构的设计者，特别是在......
建立了两种碳化硅(SiC)器件JFET和MOSFET的失效模型.失效模型是在传统的电路模型的基础上引入了额外附加的泄漏电流,其中,SiC JFET......
尼康公司的D2H单反数字相机中使用了一种新型的固体图像传感器LBCAST JFET.该器件在读数方式、内部结构等方面有了较大改进,与CCD......
介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件,并且对该负阻器件的温度特性进行了分析,为设计具有温度稳定性的......
基于70V高压双极型工艺,设计了一种适用于单片高压功率运算放大器的输入级电路。该电路采用p沟道结型场效应晶体管(JFET)组成的差......
为了提高AC-LED光利用率,本文设计了一种利用结型场效应管开关特性控制AC-LED中阵列晶粒分段提前导通的电路。利用Pspice软件设计......
工作在三极管区的JFET广泛用作可变电阻,但是其狭小的工作范围和ID～VDS的非线性关系,限制了它的应用.本文用简单的方法,扩大了可变......
基于JFET原理,采用Double RESURF技术,对SENSFET的降场层注入剂量、始点位置和长度以及Nwell注入剂量等进行优化设计,得到了耐压73......
分析和模拟了SiC JFET在高温下出现的栅电流。模拟结果反映出在温度高于700K以后栅电流对SiC JFET的影响将越来越显著,在此基础上......
近年来,LDMOS由于其漏极、栅极和源极都在芯片表面,易于和低压器件集成,因而被广泛应用到功率集成电路和射频领域,一直以来,高压LD......
700 V高压BCD工艺是近几年国内外晶圆生产厂重点开发的工艺平台,其广泛应用于模拟IC(集成电路)中的电源管理、电机驱动、汽车电子......
SemiSouth Laboratories公司日前宣布推出全新45毫欧、1200 V业界阻值最低的常开型沟槽SiC功率JFET产品系列。该公司是针对碳化硅(......
为培养学生发现问题、思考问题和解决问题的能力,笔者针对待处理信号在经过一般滤波器后会出现相位偏移造成信号失真,严重时甚至引......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
宽禁带半导体材料由于其具有更大的击穿电场而成为下一代电力电子器件的焦点,其中以Si C材料和器件的发展尤为突出。本文从开关损......
<正> 现在流行的前级放大器和合并式功率放大器一般都不带LP唱头均衡放大部分。所以,即使您拥有了中高档的LP唱机和许多珍贵的密纹......
横向高压功率器件因其易与标准CMOS工艺集成的优点,成为制作单片开关电源控制芯片的首选,但相比于纵向器件,其导通电阻较高且版图......
在JFET作输入管的低噪声高精度运放中，为了进一步减小输入偏流，增大输入阻抗，可使顶、背栅分离，且仅以顶栅接片内的控制电路。本文主要......
研究了JFET区注入对大功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻的影响,分析讨论了JFET区注入影响击穿电压的机理,并定量给出JFET区注入对......
碳化硅(SiC)电力电子器件作为目前发展最为成熟的宽禁带半导体功率器件,在高压、大电流以及高频的电力电子技术领域具有巨大的应用......
以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料为基础的新型功率器件,在各种功率应用场合下正显示出优越的特性和广阔的发展前景,而商用的Si......
A/D、D/A转换器的几项关键指标是转换速度、转换精度、分辨率以及工作电压,其规律通常是高速、高压、高分辨率三项关键指标不可兼......
JFET与双极器件相结合,可以获得高速/宽带/高输入阻抗的运算放大器。但由于工艺水平的限制,Bi-JFET单片兼容工艺中的场效应器件的......
研究和开发了一种用于宽电压A／D、D／A转换器的BiCMOS工艺。利用相关晶体管原理和公式，计算出工艺参数，再用TSUPREM4和MEDICI软件，进行工......
