【摘 要】
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为了确认半导体器件较低的发射率对显微红外测温结果的影响,采用研制的半导体材料和金属材料靶标进行了一系列验证实验,分析了发射率对显微红外热像仪测温准确度的影响。研制
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为了确认半导体器件较低的发射率对显微红外测温结果的影响,采用研制的半导体材料和金属材料靶标进行了一系列验证实验,分析了发射率对显微红外热像仪测温准确度的影响。研制了带有铂电阻结构的Ga As材料靶标和Au材料靶标,用显微红外热像仪对黑体和研制的2种靶标进行了不同温度下的测试,在110℃条件下,黑体、Ga As、Au 3种材料的温度偏差为1.9,3.7,7.9℃。测试结果表明,材料发射率越低,测温误差越大,且误差会随着温度的升高而增大。利用显微红外热像仪进行半导体器件温度测量时,需要考虑发射率的影响。
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