薄膜全耗尽SOI门阵列电路设计与实现

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在Daisy系统上设计出通用性强、使用方便的SOI门阵列母版及门阵列电路,并采用1.5μmCMOS/SOI工艺在薄膜全耗尽SIMOX材料上得以实现,其中包括多种分频器电路和环形振荡器,环振可工作在2.5V,门延迟时间在5V时为430ps。 The Daisy system is designed with a versatile and easy-to-use SOI gate array master and gate array circuit implemented on a thin film, fully depleted SIMOX using a 1.5μm CMOS / SOI process, including multiple divider circuits And ring oscillator, ring vibration can work at 2.5V, gate delay time at 5V when 430ps.
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