硅栅自对准工艺相关论文
在Ｄａｉｓｙ系统上设计出通用性强、使用方便的ＳＯＩ门阵列母版及门阵列电路，并采用１．５μｍＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺在薄膜全耗尽ＳＩＭＯＸ材料上得以实现，其中包括多种分频器电路和环......
本文报道了通过衬底材料选取,图形选择、场限制环的设置,场板极的选用,提高VDMOS和VDMOS/npn复合结构击穿电压的方法,获得使VDMOS......
主研人员:唐茂成 曾军 李肇基 根据自行设计的特殊的叉指式结构,采用离子注入硅栅自对准工艺,研制出了耐压120V、工作频率100MHz......
本文简单介绍了BV_(DS)>200V,I_(DS)>2A的功率VDMOSFET的研制与工艺,并给出了测试结果.
This article briefly introduces the re......
