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从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒（３￣６ｎｍ）具有量子点（Ｑ．Ｄ）特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应。使用薄层（￣２０ｎｍ厚）纳米硅膜制成了隧道二极管，已在液氮温区（≈７７Ｋ）在其Ｉ－Ｖ及σ－Ｖ曲线上呈现出Ｃｏｕｌｏｍｂ台阶。对实验结果做了初步分析讨论。
纳米硅薄膜中的量子点特征
【摘 要】
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从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒（３￣６ｎｍ）具有量子点（Ｑ．Ｄ）特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应。使用薄层（￣２０ｎｍ厚）纳米硅膜制成了隧道二极管，已在液氮温区（≈
【机 构】
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北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室,中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家
【出 处】
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自然科学进展：国家重点实验室通讯
【发表日期】
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1996年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金,,中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家实验室支持课题
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