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通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有Ｔ型栅的ＨＦＥＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）器件，并对０．１μｍ栅长ＨＦＥＴ器件的整套工艺及器件性能进行了研究。形成了一整套具有新特点的ＨＦＥＴ器件制作工艺，获得了良好的器件性能（ｆｔ＝７８ＧＨｚ；ｇｍ＝４４０ｍｓ／ｍｍ）。