HFET相关论文
半导体功率器件是半导体领域不可缺少的一部分,半导体材料经过几十年的飞速发展,已经迭代到了第三代。其中的GaN因为具有大的禁带......
报道了栅长为 1.5 μm Au- Al Ga N/ Ga N HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果 .同时 ,研究了器件经30 0℃、30 min热处理对......
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField－EffectT......
介绍了一种基于GaAs HFET结构的S波段内匹配器件的设计方法。由于大栅宽器件模型难以准确确定,提取了具有相似结构的小栅宽器件模......
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了......
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性......
用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电......
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG......
电流崩塌效应是限制AlGaN／GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素，文中从器件研制的角度研究了AlGaN／GaN HFET的电流崩塌效应。研究结......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态，发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层......
使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后......
研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨......
利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO，并获得了一次设计投片成功．提取了GaAs HFET的大信号模型，利用......
经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dB......
综述了GaN HFET研究中材料生长和工艺研究的新进展,介绍了器件向高频、大功率方向发展的现状及其应用前景,总结了优化器件性能和商......
文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影......
研究了GaN HFET中沟道热电子隧穿到表面态及表面态电子跃迁到表面导带两种跃迁过程及其激活能．从沟道热电子隧穿过程出发，提出了新的......
功率器件在电源管理、电力传输、工业控制等方面影响着人们的生活。硅基功率器件经过半个多世纪发展,性能已经趋近于理论极限,而现......
讨论了Ⅲ族氮化物HFET中电流崩塌和沟道内二维电子气特性间的关联,提出了描述产生电流崩塌时电子动态运动的微观模型.栅延迟电流崩......
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气（2DEG）和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力......
堆内破损探测系统是HFETR在线监测元件破损情况的重要系统,通过测量取样水的缓发中子与总γ为运行人员提供实时元件破损情况的判据......
单片微波集成电路(MMIC)具有体积小、重量轻、低成本和高可靠性等特点,已广泛应用于卫星通信转发器、移动通信、遥测遥感等电子系......
概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术。介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况。......
本文所讨论的高功率X波段微波放大器芯片采用单片微波集成电路(MMIC)的方式来实现,主要应用于机载相控阵雷达的T/R组件上,是构成机......
AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度(能带)和晶格常数(应变)的特性,利用这一特性可将异质结构的应变工程和能带工程发挥到最佳,......
学位
AlGaN／GaN异质结构材料体系由于其应用在高温、高频、大功率等方面的优越性，受到越来越多关注，对该材料体系和器件的研究已成为微电子......
