【摘 要】
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利用常压化学气相沉积法（APCVD）在玻璃基板上沉积制备了钒（V）掺杂的氮化钛（TiN）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、光电子能谱仪（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针电阻仪和分光光度计等对TiN
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程系硅材料国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（50672086）
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利用常压化学气相沉积法（APCVD）在玻璃基板上沉积制备了钒（V）掺杂的氮化钛（TiN）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、光电子能谱仪（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针电阻仪和分光光度计等对TiN薄膜的结构、形貌、以及光电性能进行了分析。结果表明,薄膜呈典型的粒状结构。随着沉积温度的升高,薄膜的结晶强度不断增加,薄膜中V元素的比例增大,方块电阻逐渐降低。600℃时薄膜在近红外光区的反射率接近50%,在中远红外区的反射率达到93.74%,得到了兼具阳光控制功能和低辐射功能的V掺杂的TiN镀膜玻璃。
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