【摘 要】
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利用金属预制层硫化法制备出黄铜矿结构的CuAl1-xNixS2多晶薄膜。Ni对Al的取代导致晶格膨胀,晶胞体积从x=0的0.294 0 nm3增加到x=0.04~0.10的0.296 55~0.297 10 nm3。CuAlS2
【机 构】
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苏州科技大学数理学院,盐城阿特斯阳光能源科技有限公司,苏州科技大学化学生物与材料工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(21771136,51301116)
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利用金属预制层硫化法制备出黄铜矿结构的CuAl1-xNixS2多晶薄膜。Ni对Al的取代导致晶格膨胀,晶胞体积从x=0的0.294 0 nm3增加到x=0.04~0.10的0.296 55~0.297 10 nm3。CuAlS2∶Ni薄膜的能隙为Eg=3.15~3.32 eV,相对于未掺杂CuAlS2的Eg=3.80 eV,Ni掺杂导致能隙的减小,是由硫离子偏离了未畸变位置所致。不同Ni含量掺杂的样品均形成中间带半导体,杂质中间带出现在距离价带顶1.80~2.53 eV。能带计算表明,深能级杂质带来源于N
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