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高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs／InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10。度，可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度，接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料。利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度，通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好。