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设计并制备了一种面向25Gbit/s长距离传输用背面进光高速InAlAs雪崩光电二极管(APD),芯片采用垂直台面吸收-渐变-电荷-倍增层分离(......
通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过......
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子......
采用气源分子束外延（GSMBE）生长了低温InGaAs材料，研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响，得到优化的生长条件为：生长温度为300 ......
高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs／InAlAs超晶格材料。通过倒空间ma......
利用改进的小信号模型对采用100 nm InAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器......
通过在InP基InxAl1-xAs递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22 As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84 Ga0.16 As探测器结构,研究了缓冲层中组分......
成功研制了栅长为0．15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2txm的InP基In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件．室温下，当器......
